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耳机分频电路原理详解

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发表于 2023-7-18 21:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自 中国
之前我发了FLC8s的调音技术详解视频,那个视频主要讲解物理分频,现在讲一讲电子分频。
其实这个是计划外的,前几天看到一个关于分频电路的视频,评论中有个朋友还是不明白,于是我回复了一下,才有做这个视频的想法。同时,也可以通过这个视频对上个视频进行补充说明。
   分频电路我就直接截图那个视频的,从这个分频电路我们可以看出耳机的分频电路其实很简单,就是电阻、电容、电感,电感也是一个非常有用的元件,但电感体积比较大,耳机腔体比较小,装上单元之后基本上没上电感的空间了,所以耳机的分频电路很少用到电感,所以这个基本电路也就没有加上它。
从这个图大家可以看到所有的元件和单元都是串联的,这是因为如果是并联,有一部分的信号就会通过并联元件泄走了,信号就损失了,所以一般都不用并联电路。
当一个单元的电路中串了一个电阻,电阻就挡住了一部分的信号,通过该单元的信号量就减小了,该单元所有频段的频响都下降,电阻越大,下降得越多。电阻挡住的那部分信号,会分给其它的单元,其它的单元的频响曲线会上升。
一般在什么情况下串电阻呢?如果几个单元中,有一个单元灵敏度特别高,整体频响曲线也特别高,那就要串一个电阻把频响曲线压下来和其它单元相匹配。
上面说了串了电阻的单元所有频段的信号都被挡了一部分,那么串了电容会怎样呢?串了电容的单元只是某个频段被挡住了,被挡住的频段的信号也被分给其它单元,其它单元该频段的频响会升高。电容的容值越大,挡的频段越窄,比如100μF的挡100赫兹以下,47μF挡住200赫兹以下,22μF挡住600赫兹以下,10μF挡住1000赫兹以下,1μF挡住6000赫兹以下,当然这些数据不一定很准确,只是举例说明。
再回到这个电路,单元1串了个电阻R1,单元1所有频段被挡的信号都分给了单元2和单元3。单元3串了一个电阻R3一个电容C2,这个R3的作用与R1一样,C21μF,挡住了6000赫兹以下的信号,这些被挡了的信号分给了单元1和单元2。单元2串了一个电阻R2和一个电容C1, 电阻R2的作用和R1 R3一样,C110μF,挡住了1000赫兹以下的信号,挡住的信号包括其自身的,也包括C2分给它的,所以1000赫兹以信号变为单元1独享,10006000赫兹的信号是单元1和单元2共享,6000以上的信号为三个单元共享。
这个电路进一步说明了,我上一个视频中所说的:多单元的优势是中频密度高,但对于高频延展来说却是劣势,高频能量本来就小、容易损失,你再把本来就少的能量分给那么多个单元,要命的是,绝大多数的单元对于高频来说是只吃饭不干活的观点。
再补充说明一下,如果R2R3为零且单元2和单元3是复合单元且C1大于C2,那么C2一般会焊在复合单元上,这个电路图就变成下面的这个。

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